16K,FLASH芯片

1 产品概述 

1.1 产品特性 

 内核  1T 8051 内核，兼容标准 8051 指令集  内核最高工作频率 16MHz 

 存储  16K 字节 FLASH 程序存储器  128 字节 EEPROM 数据存储器  SRAM，核内 256 字节，核外 768 字节 

 复位与启动  内置上电复位 POR  内置掉电复位 BOR，支持 8 档掉电复位 1.6V~4.4V，步进 0.4V  支持外部复位端口 RSTN，低电平复位(此模式下芯片复位在 100us 内完成) 

 时钟  外部 32K-20MHz 晶体振荡器 XOSC  内部 16MHz 高精度振荡器 HRC（出厂校准精度<±1%，全温工作精度<±2%）  内部 16KHz 低功耗振荡器 LRC，支持 HRC 辅助修正，修正精度<±3%

 调试和编程  单线调试，单线编程 

 工作条件  VDD=4.5V~5.5V@16M  VDD=3.0V~5.5V@8M  VDD=1.8V~5.5V@2M  工作温度范围 -40~85℃ 

 功耗  待机睡眠功耗典型功耗 5uA  LRC 运行功耗典型功耗 15uA  8MHz@5V 运行功耗典型 3mA

 端口  最多支持 30 个 I/O 端口， 8 个可复用 COM 口（COM 端口灌电流最大 80mA） 12 个 SEG 复用口支持 2,4,8,15mA 模式  所有端口支持独立弱上拉和弱下拉控制，可同时开启上拉和下拉  所有端口支持外部中断唤醒F03 数据手册 

 外设 

 4 路 16 位定时/计数器 TMR，支持比较捕捉功能

 3 组独立 16+3 位 PWM，每组支持 2 路互补或同相输出

 24 通道 TouchKey  12 通道 12 位 SAR ADC，其中 1 路通道用于 VDD 检测，支持 TMR2 设定触发 ADC,可配合 PWM 设置触发点。 

 内置参考电压 2.5V,2.048V,1.5V,1.2V, 1.024V,0.8V,0.2V,出厂校准精度<±1%  8COM x 12SEG LED 驱动 

 内置低电压检测模块 LVD；支持对 VDD 8 档低电压检测电压 1.8V~4.6V,步进电压为 0.4V；支持 外部管脚输入 LVD 检测，比较电压为 1.2V。

 1 路 SPI  1 路 IIC，支持 7 位地址主从模式  2 路 UART 

 封装类型  SOP16 / SOP20 / SSOP24 / SOP28 / QFN32 / LQFP32 / SSOP28