1 产品特性

 内核 

 1T51 内核，兼容标准 8051 指令集 

 内核最高工作频率 14MHz

 存储 

 8K 字节 FLASH 程序存储器 

 128 字节 EEPROM 数据存储器 

 IRAM 256 字节，XRAM 256 字节 

 复位与启动 

 内置上电复位 POR 

 内置掉电复位 BOR，支持 8 档掉电复位 1.6V~4.4V，步进 0.4V 

 时钟

 外部 32K-20MHz 晶体振荡器 XOSC 

 内部 16M/28MHz 高精度振荡器 HRC （出厂校准精度<±1%，全温工作精度 <±2%） 

 内部 16KHz 低功耗振荡器 LRC，精度 <±10%

 调试和编程 

 单线调试，单线编程 

 工作条件 

 VDD=3.0V~5.5V@14M 

 VDD=2.5V~5.5V@8M 

 VDD=1.8V~5.5V@2M 

 工作温度范围 -40~85℃ 

 功耗 

 待机睡眠功耗典型功耗 3uA@3.3V 

 8MHz@3.3V 运行功耗典型 5mA 

 端口 

 最多支持 18 个 I/O 端口，所有端口支持 独立弱上拉和弱下拉控制，可同时开启 上拉和下拉 

 P10-P15 支持最大灌电流 80mA，P00- P07 支持拉电流 4 档可配置 

 支持 8 个外部中断唤醒，可复用到 18 端口 

 外设  2 路 8 位定时器 TMR0/TMR1，可级联 

 1 路 8 位定时器/计数器 TMR2 

 1 路 16 位定时/计数器 TMR3 

 3 组独立 12+3 位 PWM，每组支持 2 路 互补或同相输出(TMR3 和 PWM 可运行 在 28M 下).其中 PWM2 可配置成 CAP 捕捉模式 

 支持一路模拟比较器 

 18 通道 12 位 SAR ADC，其中 1 路通 道为 VDD/4 检测 

 内置多档参考电压，校准精度 <±1.5% 

 LVD 低电压检测，支持对 VDD 8 档低 电压检测，步进电压为 0.4V；支持外部 管脚输入 LVD 检测，比较电压 0.5V 

 1 路 IIC，支持 7 位地址主从模式 

 1 路 UART  封装类型  TSSOP20