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8K flash触摸芯片

1 产品特性

内核 1T51 内核,兼容标准 8051 指令集 内核最高工作频率 14MHz 

存储 8K 字节 FLASH 程序存储器 128 字节 EEPROM 数据存储器 IRAM 256 字节,XRAM 256 字节

复位不启动 内置上电复位 POR 内置掉电复位 BOR,支持 8 档掉电复位 1.6V~4.4V,步迕 0.4V

时钟 外部 32K-20MHz 晶体振荡器 XOSC 内部 16M/28MHz 高精度振荡器 HRC (出厂校准精度<±1%,全温工作精度 <±2%内部 16KHz 低功耗振荡器 LRC,精度 <±10%

调试和编程 单线调试,单线编程 

工作条件 VDD=3.0V~5.5V@14M VDD=2.5V~5.5V@8M VDD=1.8V~5.5V@2M 工作温度范围 -40~85℃ 

功耗 待机睡眠功耗典型功耗 3uA@3.3V 8MHz@3.3V 运行功耗典型 5mA

端口 最多支持 18 I/O 端口,所有端口支持 独立弱上拉和弱下拉控制,可同时开启 上拉和下拉 P10-P15 支持最大灌电流 80mAP00- P07 支持拉电流 4 档可配置支持 8 个外部中断唤醒,可复用到 18 端口 

外设 2 8 位定时器 TMR0/TMR1,可级联 1 8 位定时器/计数器 TMR2 1 16 位定时/计数器 TMR3 3 组独立 12+3 PWM,每组支持 2 互补或同相输出(TMR3 PWM 可运行 28M ).其中 PWM2 可配置成 CAP 捕捉模式 16 通道触摸按键 TouchKey 支持一路模拟比较器(不 TouchKey 分时使用) 18 通道 12 SAR ADC,其中 1 路通 道为内部 VDD/4 检测 内置多档参考电压,校准精度 <±1.5% LVD 低电压检测,支持对 VDD 8 档低 电压检测,步迕电压为 0.4V;支持外部 管脚输入 LVD 检测,比较电压 0.5V 1 IIC,支持 7 位地址主从模式 1 UART 封装类型 SSOP28/TSSOP20/SOP16/ SOP8

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