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FLASH,触摸单片机
  • 4K(FLASH)+E方 运放 MC F7062

    1 产品概要 1.1 产品特性 8 位 CPU 内核 精简指令集,8 级深度硬件堆栈  CPU 为双时钟,可在系统高/低频时钟之间切换 系统高频时钟下 FCPU 可配置为 FHOSC 的 2/4/8/16/32/64 分频 系统低频时钟下 FCPU 固定为 FLOSC 的 2 分频 程序存储器  4K×16 位 FLASH 型程序存储器,可通过间接寻址读取程序存储器内容  支持在板不带电烧录编程 数据存储器  256 字节 SRAM 型通用数据存储器,支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式 256 字节 EEPROM 型数据

  • 2K(FLASH)+E方单片机 MC7361

    1 产品概要1.1 产品特性 8 位 CPU 内核 精简指令集,8 级深度硬件堆栈 CPU 为双时钟,可在系统高/低频时钟之间切换 系统高频时钟下 FCPU 可配置为 FHOSC 的 2/4/8/16/32/64 分频 系统低频时钟下 FCPU 固定为 FLOSC 的 2 分频 程序存储器 2K×16 位 FLASH 型程序存储器,可通过间接寻址读取程序存储器内容 支持在板带电烧录编程,擦写次数至少 10000 次  数据存储器 256 字节 SRAM 型通用数据存储器,支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式128×16 位 E

  • 003芯片 tssop20脚位

    1 产品特性 内核 1T51 内核,兼容标准 8051 指令集 内核最高工作频率 14MHz 存储 8K 字节 FLASH 程序存储器 128 字节 EEPROM 数据存储器 IRAM 256 字节,XRAM 256 字节 复位与启动 内置上电复位 POR 内置掉电复位 BOR,支持 8 档掉电复位 1.6V~4.4V,步进 0.4V 时钟 外部 32K-20MHz 晶体振荡器 XOSC 内部 16M/28MHz 高精度振荡器 HRC (出厂校准精度±1%,全温工作精度 ±2%) 内部 16KHz 低功耗振荡器 LRC,精度 ±10

  • 芯片型号:晟矽微MC32F7343

    晟矽微MC32F7343是内置8K的FLASH芯片,支持AD,PWM,LVD,我司可提供开发工具,免费送样测试,欢迎咨询客服。

  • 16K,FLASH芯片

    16K,FLASH芯片,支持LED驱动,支持SOP16 / SOP20 / SSOP24 / SOP28 / QFN32 / LQFP32 / SSOP28封装

  • 晟矽微003芯片(替换芯圣/新塘/赛元003)

    晟矽微MC51F003A4是内置16K的FLASH芯片,可兼容替换芯圣/赛元/新唐003单片机,PIN对PIN替换,无须改PCB,我司可提供开发工具,免费送样测试,欢迎咨询客服。

  • 芯片型号:MC30F7030

    1T 8051 内核,8KB Flash,512B SRAM,128B EEPROM,12 通道过 CS-10V 低功耗 Touch Key,1 个 5 位精度 DAC,3 对 6 通道 12 位互补输出 PWM,3 个通用定时器,1 个 UART,1 个 I2C,1 个 WDT,1 个 WKT,软件 LED 驱动,软件 LCD 驱动

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